Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NTMS4807NR2G
ON Semiconductor

NTMS4807NR2G

Дел Акција: 191362

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 14.8A, 10V,

Листа на желби.
NTR4101PT1H
ON Semiconductor

NTR4101PT1H

Дел Акција: 111643

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Листа на желби.
FDD4N60NZ
ON Semiconductor

FDD4N60NZ

Дел Акција: 175018

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 1.7A, 10V,

Листа на желби.
FDD5N50FTM-WS
ON Semiconductor

FDD5N50FTM-WS

Дел Акција: 76

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55 Ohm @ 1.75A, 10V,

Листа на желби.
FDMS86252L
ON Semiconductor

FDMS86252L

Дел Акција: 105739

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.4A, 10V,

Листа на желби.
HUF76429S3ST
ON Semiconductor

HUF76429S3ST

Дел Акција: 54468

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 47A, 10V,

Листа на желби.
FDD120AN15A0
ON Semiconductor

FDD120AN15A0

Дел Акција: 158276

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.
ECH8310-TL-H
ON Semiconductor

ECH8310-TL-H

Дел Акција: 171545

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 4.5A, 10V,

Листа на желби.
FDB14N30TM
ON Semiconductor

FDB14N30TM

Дел Акција: 96705

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 300V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.
FQD17N08LTM
ON Semiconductor

FQD17N08LTM

Дел Акција: 159109

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 80V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 6.45A, 10V,

Листа на желби.
NTMFS4H013NFT3G
ON Semiconductor

NTMFS4H013NFT3G

Дел Акција: 26689

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 25V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 43A (Ta), 269A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FDD8444
ON Semiconductor

FDD8444

Дел Акција: 139918

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 145A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
RFD16N05LSM9A
ON Semiconductor

RFD16N05LSM9A

Дел Акција: 142617

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 16A, 5V,

Листа на желби.
FDMS8026S
ON Semiconductor

FDMS8026S

Дел Акција: 78286

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Ta), 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 19A, 10V,

Листа на желби.
NTMS4937NR2G
ON Semiconductor

NTMS4937NR2G

Дел Акција: 105708

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 7.5A, 10V,

Листа на желби.
FDMS0312AS
ON Semiconductor

FDMS0312AS

Дел Акција: 126395

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
NTD4804NT4G
ON Semiconductor

NTD4804NT4G

Дел Акција: 165797

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14.5A (Ta), 124A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
FQB34N20TM-AM002
ON Semiconductor

FQB34N20TM-AM002

Дел Акција: 110

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 15.5A, 10V,

Листа на желби.
FQD13N06TM
ON Semiconductor

FQD13N06TM

Дел Акција: 130910

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.
FDD8880
ON Semiconductor

FDD8880

Дел Акција: 181519

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), 58A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 35A, 10V,

Листа на желби.
HUF76609D3ST
ON Semiconductor

HUF76609D3ST

Дел Акција: 176763

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
FQP13N50
ON Semiconductor

FQP13N50

Дел Акција: 19916

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 6.25A, 10V,

Листа на желби.
FCH47N60-F133
ON Semiconductor

FCH47N60-F133

Дел Акција: 94

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 47A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 23.5A, 10V,

Листа на желби.
FQB25N33TM-F085
ON Semiconductor

FQB25N33TM-F085

Дел Акција: 82

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 330V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 12.5A, 10V,

Листа на желби.
FQPF11P06
ON Semiconductor

FQPF11P06

Дел Акција: 57285

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 4.3A, 10V,

Листа на желби.
FDMC2610
ON Semiconductor

FDMC2610

Дел Акција: 95784

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), 9.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.2A, 10V,

Листа на желби.
FDMC4435BZ-F126
ON Semiconductor

FDMC4435BZ-F126

Дел Акција: 108

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 18A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS5A160PLZT3G
ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT3G

Дел Акција: 61

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NTS4173PT1G
ON Semiconductor

NTS4173PT1G

Дел Акција: 153699

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.2A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS5A140PLZWFT3G
ON Semiconductor

NVMFS5A140PLZWFT3G

Дел Акција: 154

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), 140A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
FDD3670
ON Semiconductor

FDD3670

Дел Акција: 61463

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 34A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 7.3A, 10V,

Листа на желби.
FDD18N20LZ
ON Semiconductor

FDD18N20LZ

Дел Акција: 97527

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 16A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.
FQD9N25TM-F080
ON Semiconductor

FQD9N25TM-F080

Дел Акција: 93

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 3.7A, 10V,

Листа на желби.
NVD5C478NT4G
ON Semiconductor

NVD5C478NT4G

Дел Акција: 123

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), 43A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.
NTK3134NT1G
ON Semiconductor

NTK3134NT1G

Дел Акција: 100607

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 750mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 890mA, 4.5V,

Листа на желби.
SFT1452-TL-W
ON Semiconductor

SFT1452-TL-W

Дел Акција: 170427

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.