Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ATP207-TL-H
ON Semiconductor

ATP207-TL-H

Дел Акција: 9430

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 65A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1 mOhm @ 33A, 10V,

Листа на желби.
ATP302-TL-H
ON Semiconductor

ATP302-TL-H

Дел Акција: 95812

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 70A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 35A, 10V,

Листа на желби.
ATP401-TL-H
ON Semiconductor

ATP401-TL-H

Дел Акција: 50250

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BS170-D27Z
ON Semiconductor

BS170-D27Z

Дел Акција: 61

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.
BVSS123LT1G
ON Semiconductor

BVSS123LT1G

Дел Акција: 129510

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.
BBS3002-TL-1E
ON Semiconductor

BBS3002-TL-1E

Дел Акција: 33736

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BUZ11-NR4941
ON Semiconductor

BUZ11-NR4941

Дел Акција: 86

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 15A, 10V,

Листа на желби.
BSS138W
ON Semiconductor

BSS138W

Дел Акција: 146564

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 210mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Листа на желби.
BVSS84LT1G
ON Semiconductor

BVSS84LT1G

Дел Акција: 114564

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 130mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
BMS4007-1E
ON Semiconductor

BMS4007-1E

Дел Акција: 42890

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
BFL4026-1E
ON Semiconductor

BFL4026-1E

Дел Акција: 34306

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.
BMS3004-1E
ON Semiconductor

BMS3004-1E

Дел Акција: 19168

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 68A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 34A, 10V,

Листа на желби.
BBL4001-1E
ON Semiconductor

BBL4001-1E

Дел Акција: 25429

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 74A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

Листа на желби.
BMS3003-1E
ON Semiconductor

BMS3003-1E

Дел Акција: 19146

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 78A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Листа на желби.
BSS138-T
ON Semiconductor

BSS138-T

Дел Акција: 2354

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Листа на желби.
BXL4004-1E
ON Semiconductor

BXL4004-1E

Дел Акција: 2247

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BMS3004-1EX
ON Semiconductor

BMS3004-1EX

Дел Акција: 2159

Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V,

Листа на желби.
BFL4001-1EX
ON Semiconductor

BFL4001-1EX

Дел Акција: 2065

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Листа на желби.
BBL4001
ON Semiconductor

BBL4001

Дел Акција: 2123

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 74A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1 mOhm @ 37A, 10V,

Листа на желби.
BS270-D74Z
ON Semiconductor

BS270-D74Z

Дел Акција: 8648

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.
BS170-D74Z
ON Semiconductor

BS170-D74Z

Дел Акција: 8637

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.
BS170-D26Z
ON Semiconductor

BS170-D26Z

Дел Акција: 8681

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

Листа на желби.
BS107AG
ON Semiconductor

BS107AG

Дел Акција: 1926

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 Ohm @ 250mA, 10V,

Листа на желби.
BFL4036-1E
ON Semiconductor

BFL4036-1E

Дел Акција: 6274

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.6A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.
BFL4037-1E
ON Semiconductor

BFL4037-1E

Дел Акција: 6199

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 11A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

Листа на желби.
BFL4007-1E
ON Semiconductor

BFL4007-1E

Дел Акција: 1833

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.
BFL4004-1E
ON Semiconductor

BFL4004-1E

Дел Акција: 1834

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Листа на желби.
BFL4001-1E
ON Semiconductor

BFL4001-1E

Дел Акција: 1889

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 3.25A, 10V,

Листа на желби.
BBS3002-DL-1E
ON Semiconductor

BBS3002-DL-1E

Дел Акција: 33450

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
BSS138-D87Z
ON Semiconductor

BSS138-D87Z

Дел Акција: 6186

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 220mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

Листа на желби.
BMS4003
ON Semiconductor

BMS4003

Дел Акција: 1258

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.
BXL4001
ON Semiconductor

BXL4001

Дел Акција: 1160

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 85A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4 mOhm @ 43A, 10V,

Листа на желби.
BMS3003
ON Semiconductor

BMS3003

Дел Акција: 1228

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 78A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 39A, 10V,

Листа на желби.
BFL4007
ON Semiconductor

BFL4007

Дел Акција: 1221

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8.7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 680 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.
BFL4036
ON Semiconductor

BFL4036

Дел Акција: 1229

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.
BFL4004
ON Semiconductor

BFL4004

Дел Акција: 1163

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3.25A, 10V,

Листа на желби.