Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - Single
HUF76439S3ST
ON Semiconductor

HUF76439S3ST

Дел Акција: 52379

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 75A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 75A, 10V,

Листа на желби.
FDB045AN08A0-F085
ON Semiconductor

FDB045AN08A0-F085

Дел Акција: 64

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 75V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
NTD4904NT4G
ON Semiconductor

NTD4904NT4G

Дел Акција: 178458

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), 79A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.
NTD24N06T4G
ON Semiconductor

NTD24N06T4G

Дел Акција: 183950

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 24A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.
FDP7N60NZ
ON Semiconductor

FDP7N60NZ

Дел Акција: 89755

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3.25A, 10V,

Листа на желби.
FDD86110
ON Semiconductor

FDD86110

Дел Акција: 65814

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

Листа на желби.
FDP150N10A-F102
ON Semiconductor

FDP150N10A-F102

Дел Акција: 88

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
FQP6N80C
ON Semiconductor

FQP6N80C

Дел Акција: 89271

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 2.75A, 10V,

Листа на желби.
NTLUS4C12NTAG
ON Semiconductor

NTLUS4C12NTAG

Дел Акција: 154063

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 9A, 10V,

Листа на желби.
NVD5C460NLT4G
ON Semiconductor

NVD5C460NLT4G

Дел Акција: 129

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), 73A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.
FDD6680AS
ON Semiconductor

FDD6680AS

Дел Акција: 165412

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 55A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

Листа на желби.
CPH3350-TL-W
ON Semiconductor

CPH3350-TL-W

Дел Акција: 144634

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.
FDD3690
ON Semiconductor

FDD3690

Дел Акција: 118201

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 5.4A, 10V,

Листа на желби.
FQB11N40CTM
ON Semiconductor

FQB11N40CTM

Дел Акција: 83287

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 400V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10.5A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530 mOhm @ 5.25A, 10V,

Листа на желби.
ECH8309-TL-H
ON Semiconductor

ECH8309-TL-H

Дел Акција: 156152

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 4.5A, 4.5V,

Листа на желби.
FDMC2674
ON Semiconductor

FDMC2674

Дел Акција: 113572

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 220V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Ta), 7A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 366 mOhm @ 1A, 10V,

Листа на желби.
FDMS7672AS
ON Semiconductor

FDMS7672AS

Дел Акција: 155908

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 19A (Ta), 42A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
NVMFS5A160PLZT1G
ON Semiconductor

NVMFS5A160PLZT1G

Дел Акција: 72

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
NVATS68301PZT4G
ON Semiconductor

NVATS68301PZT4G

Дел Акција: 118

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 31A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.
MCH3375-TL-W-Z
ON Semiconductor

MCH3375-TL-W-Z

Дел Акција: 110864

Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V,

Листа на желби.
FQD7N10LTM
ON Semiconductor

FQD7N10LTM

Дел Акција: 145414

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 2.9A, 10V,

Листа на желби.
FDD8445
ON Semiconductor

FDD8445

Дел Акција: 134304

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 70A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7 mOhm @ 50A, 10V,

Листа на желби.
FQD2N60CTM
ON Semiconductor

FQD2N60CTM

Дел Акција: 190174

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 Ohm @ 950mA, 10V,

Листа на желби.
NVATS5A108PLZT4G
ON Semiconductor

NVATS5A108PLZT4G

Дел Акција: 84654

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 77A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V,

Листа на желби.
FDB0630N1507L
ON Semiconductor

FDB0630N1507L

Дел Акција: 19651

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 130A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
NVE4153NT1G
ON Semiconductor

NVE4153NT1G

Дел Акција: 169814

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 915mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Листа на желби.
FDS6298
ON Semiconductor

FDS6298

Дел Акција: 134298

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.
NVGS3130NT1G
ON Semiconductor

NVGS3130NT1G

Дел Акција: 154395

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

Листа на желби.
FDB024N04AL7
ON Semiconductor

FDB024N04AL7

Дел Акција: 30642

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 80A, 10V,

Листа на желби.
FDS8870
ON Semiconductor

FDS8870

Дел Акција: 94656

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.
MCH6337-TL-W
ON Semiconductor

MCH6337-TL-W

Дел Акција: 104594

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 3A, 4.5V,

Листа на желби.
FQB8N90CTM
ON Semiconductor

FQB8N90CTM

Дел Акција: 48227

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.3A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9 Ohm @ 3.15A, 10V,

Листа на желби.
NVATS4A102PZT4G
ON Semiconductor

NVATS4A102PZT4G

Дел Акција: 163879

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 44A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.
FDD1600N10ALZ
ON Semiconductor

FDD1600N10ALZ

Дел Акција: 154084

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.8A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 3.4A, 10V,

Листа на желби.
FQB4N80TM
ON Semiconductor

FQB4N80TM

Дел Акција: 83054

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.9A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.95A, 10V,

Листа на желби.
FQT4N25TF
ON Semiconductor

FQT4N25TF

Дел Акција: 170007

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 830mA (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75 Ohm @ 415mA, 10V,

Листа на желби.