Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - FETs, MOSFETs - RF

  • Дома
  •  
  • Transistors - FETs, MOSFETs - RF
2SK3079ATE12LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3079ATE12LQ

Дел Акција: 25011

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 470MHz, Добијте: 13.5dB, Напон - Тест: 4.5V, Тековна оценка: 3A,

Листа на желби.
2SK3756(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3756(TE12L,F)

Дел Акција: 38838

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 470MHz, Добијте: 12dB, Напон - Тест: 4.5V, Тековна оценка: 1A,

Листа на желби.
2SK3475TE12LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3475TE12LF

Дел Акција: 28639

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 14.9dB, Напон - Тест: 7.2V, Тековна оценка: 1A,

Листа на желби.
2SK4037(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK4037(TE12L,Q)

Дел Акција: 22269

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 470MHz, Добијте: 11.5dB, Напон - Тест: 6V, Тековна оценка: 3A,

Листа на желби.
2SK209-BL(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-BL(TE85L,F)

Дел Акција: 9945

Тип на транзистор: N-Channel JFET, Фреквенција: 1kHz, Напон - Тест: 10V, Број на бучава: 1dB,

Листа на желби.
2SK209-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 150111

Тип на транзистор: N-Channel JFET, Фреквенција: 1kHz, Напон - Тест: 10V, Број на бучава: 1dB,

Листа на желби.
2SK3476(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3476(TE12L,Q)

Дел Акција: 6228

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 11.4dB, Напон - Тест: 7.2V, Тековна оценка: 3A,

Листа на желби.
2SK3078A(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3078A(TE12L,F)

Дел Акција: 6184

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 470MHz, Добијте: 8dB, Напон - Тест: 4.5V, Тековна оценка: 500mA,

Листа на желби.
2SK3074TE12LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3074TE12LF

Дел Акција: 6224

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 14.9dB, Напон - Тест: 9.6V, Тековна оценка: 1A,

Листа на желби.
2SK3075(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3075(TE12L,Q)

Дел Акција: 9920

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 11.7dB, Напон - Тест: 9.6V, Тековна оценка: 5A,

Листа на желби.
2SK2854(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2854(TE12L,F)

Дел Акција: 88332

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 849MHz, Тековна оценка: 500mA,

Листа на желби.
2SK209-GR(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SK209-GR(TE85L,F)

Дел Акција: 181884

Тип на транзистор: N-Channel JFET, Фреквенција: 1kHz, Напон - Тест: 10V, Број на бучава: 1dB,

Листа на желби.
3SK291(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK291(TE85L,F)

Дел Акција: 404

Тип на транзистор: N-Channel Dual Gate, Фреквенција: 800MHz, Добијте: 22.5dB, Напон - Тест: 6V, Тековна оценка: 30mA, Број на бучава: 2.5dB,

Листа на желби.
3SK293(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK293(TE85L,F)

Дел Акција: 414

Тип на транзистор: N-Channel Dual Gate, Фреквенција: 800MHz, Добијте: 22dB, Напон - Тест: 6V, Тековна оценка: 30mA, Број на бучава: 2.5dB,

Листа на желби.
3SK292(TE85R,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK292(TE85R,F)

Дел Акција: 388

Тип на транзистор: N-Channel Dual Gate, Фреквенција: 500MHz, Добијте: 26dB, Напон - Тест: 6V, Тековна оценка: 30mA, Број на бучава: 1.4dB,

Листа на желби.
3SK294(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

3SK294(TE85L,F)

Дел Акција: 141644

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 500MHz, Добијте: 26dB, Напон - Тест: 6V, Тековна оценка: 30mA, Број на бучава: 1.4dB,

Листа на желби.
RFM01U7P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM01U7P(TE12L,F)

Дел Акција: 25081

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 10.8dB, Напон - Тест: 7.2V, Тековна оценка: 1A,

Листа на желби.
RFM08U9X(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM08U9X(TE12L,Q)

Дел Акција: 9190

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 11.7dB, Напон - Тест: 9.6V, Тековна оценка: 5A,

Листа на желби.
RFM12U7X(TE12L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM12U7X(TE12L,Q)

Дел Акција: 7176

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 10.8dB, Напон - Тест: 7.2V, Тековна оценка: 4A,

Листа на желби.
RFM03U3CT(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM03U3CT(TE12L)

Дел Акција: 10569

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 520MHz, Добијте: 14.8dB, Напон - Тест: 3.6V, Тековна оценка: 3A,

Листа на желби.
RFM04U6P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RFM04U6P(TE12L,F)

Дел Акција: 6008

Тип на транзистор: N-Channel, Фреквенција: 470MHz, Добијте: 13.3dB, Напон - Тест: 6V, Тековна оценка: 2A,

Листа на желби.