Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Zener - Single

CRZ13(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ13(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 99

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 13V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ20(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ20(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 140

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 20V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 14V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ36(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ36(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 137

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 36V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 28.8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRY62(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY62(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 176

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.2V, Толеранција: ±9.68%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ16(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ16(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 141

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 16V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 11V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ30(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 172

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 21V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ24(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ24(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 86

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 24V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 17V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ22(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 127

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 16V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ10(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 153

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 98

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 7V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ27(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ27(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 114

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 27V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 19V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ18(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 118

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 13V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 89

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ47(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 142

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 65 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ15(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ15(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 173943

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 15V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 10V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ43(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ43(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 170

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 43V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 40 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 34.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ39(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ39(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 150

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 39V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 35 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 31.2V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ10(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ10(TE85L,Q)

Дел Акција: 8202

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 10V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ22(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ22(TE85L,Q)

Дел Акција: 3906

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 22V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 16V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ47(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ47(TE85L,Q)

Дел Акција: 8171

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 47V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 65 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 37.6V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ30(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ30(TE85L,Q)

Дел Акција: 8174

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 30V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 21V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ33(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ33(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 5464

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 33V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 26.4V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ12(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ12(TE85L,Q)

Дел Акција: 8245

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 12V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 8V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ11(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ11(TE85L,Q)

Дел Акција: 8173

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 11V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 7V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRY68(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY68(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 152718

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 6.8V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 60 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 3V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRY82(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY82(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 127852

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 8.2V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 4.9V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRY75(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY75(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 138193

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 7.5V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 4.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRY91(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRY91(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 5349

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 9.1V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 5.5V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.
CRZ18(TE85L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRZ18(TE85L,Q)

Дел Акција: 5364

Напон - Зенер (Ном) (Вз): 18V, Толеранција: ±10%, Моќност - Макс: 700mW, Импеданса (максимум) (Zzt): 30 Ohms, Струја - Обратно истекување @ Vr: 10µA @ 13V, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 200mA,

Листа на желби.