Transistors - JFETs | Discrete Semiconductor Products | 1

2SK879-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 198791

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-GR(TE85L,F

Дел Акција: 405

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK879-GR(TE85L,F)

Дел Акција: 389

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-O(TE85L,F)

Дел Акција: 342

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-GR(TE85L,F)

Дел Акција: 340

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 123563

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-BL(TE85L,F)

Дел Акција: 403

Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 50V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880GRTE85LF

Дел Акција: 100454

Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 50V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 407

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-BL(TE85L,F

Дел Акција: 9964

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2145-BL(TE85L,F

Дел Акција: 177718

Тип на FET: 2 N-Channel (Dual), Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK208-R(TE85L,F)

Дел Акција: 9975

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 300µA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 400mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3320-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 3488

Тип на FET: N-Channel, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 200mV @ 100nA,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK880-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 110749

Тип на FET: N-Channel, Напон - Дефект (V (BR) GSS): 50V, Струја - Исцедете (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.2mA @ 10V, Напон - Пресек (исклучен VGS) @ Id: 1.5V @ 100nA,

Листа на желби.