Magnetic Sensors - Switches (Solid State) | Sensors, Transducers | 1

TCS11NLU(TE85L,F)

Дел Акција: 698

Функција: Unipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: North Pole, Опсег на осетување: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11SLU(TE85L,F)

Дел Акција: 701

Функција: Unipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: South Pole, Опсег на осетување: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DLU(TE85L,F)

Дел Акција: 6363

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SLU(TE85L,F)

Дел Акција: 6426

Функција: Unipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: South Pole, Опсег на осетување: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10SPU(TE85L,F)

Дел Акција: 6394

Функција: Unipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: South Pole, Опсег на осетување: 2.5mT Trip, 0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10DPU(TE85L,F)

Дел Акција: 653

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NPU(TE85L,F)

Дел Акција: 702

Функција: Unipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: North Pole, Опсег на осетување: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DPR,LF

Дел Акција: 6395

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS11DLU(TE85L,F)

Дел Акција: 6382

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±2.5mT Trip, ±0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS10NLU(TE85L,F)

Дел Акција: 6359

Функција: Unipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: North Pole, Опсег на осетување: -2.5mT Trip, -0.3mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 3.6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS20DLR,LF

Дел Акција: 6325

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DPR,LF

Дел Акција: 117776

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 5.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TCS40DLR,LF

Дел Акција: 130729

Функција: Omnipolar Switch, Технологија: Hall Effect, Поларизација: Either, Опсег на осетување: ±4.4mT Trip, ±0.9mT Release, Тест состојба: 25°C, Напон - Набавка: 2.3V ~ 5.5V,

Листа на желби.