Transistors - IGBTs - Single | Discrete Semiconductor Products | 1

GT60N321(Q)

Дел Акција: 6662

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 1000V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 60A, Струја - Колекторот е пулсиран (Icm): 120A, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 60A, Моќност - Макс: 170W,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

GT50J121(Q)

Дел Акција: 6662

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50A, Струја - Колекторот е пулсиран (Icm): 100A, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A, Моќност - Макс: 240W,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133(TE12L,Q)

Дел Акција: 6700

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Струја - Колекторот е пулсиран (Icm): 150A, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 4V, 150A, Моќност - Макс: 600mW,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

GT10G131(TE12L,Q)

Дел Акција: 6737

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Струја - Колекторот е пулсиран (Icm): 200A, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4V, 200A, Моќност - Макс: 1W,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

GT10J312(Q)

Дел Акција: 6730

Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 600V, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Струја - Колекторот е пулсиран (Icm): 20A, Vce (вклучено) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Моќност - Макс: 60W,

Листа на желби.