Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - RF

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - RF
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

Дел Акција: 144

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Добијте: 13dB, Моќност - Макс: 150mW,

Листа на желби.
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

Дел Акција: 170

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Добијте: 11dB, Моќност - Макс: 150mW,

Листа на желби.
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 171976

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Фреквенција - Транзиција: 550MHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Добијте: 17dB ~ 23dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

Дел Акција: 111075

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 128600

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Добијте: 11dB ~ 16.5dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

Дел Акција: 121034

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

Дел Акција: 190

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

Дел Акција: 170

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

Дел Акција: 187

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 10V, Фреквенција - Транзиција: 10GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.8dB @ 2GHz, Добијте: 13dB ~ 7dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

Дел Акција: 173074

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

Дел Акција: 128

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 10V, Фреквенција - Транзиција: 10GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.8dB @ 2GHz, Добијте: 13dB ~ 7.5dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

Дел Акција: 124837

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Фреквенција - Транзиција: 550MHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Добијте: 17dB ~ 23dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

Дел Акција: 152602

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Добијте: 11dB, Моќност - Макс: 150mW,

Листа на желби.
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

Дел Акција: 162523

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Моќност - Макс: 150mW,

Листа на желби.
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

Дел Акција: 133840

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 132303

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Фреквенција - Транзиција: 550MHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 2.5dB @ 100MHz, Добијте: 23dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

Дел Акција: 156257

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 8GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Моќност - Макс: 150mW,

Листа на желби.
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 190913

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Добијте: 12dB ~ 17dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

Дел Акција: 167393

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Фреквенција - Транзиција: 550MHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 2.5dB @ 100MHz, Добијте: 23dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

Дел Акција: 7295

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1dB @ 500MHz, Добијте: 18dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

Дел Акција: 4783

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 10V, Фреквенција - Транзиција: 6GHz, Добијте: 11dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

Дел Акција: 7101

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Фреквенција - Транзиција: 550MHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Добијте: 17dB ~ 23dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

Дел Акција: 7064

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 10V, Фреквенција - Транзиција: 10GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.4dB @ 1GHz, Добијте: 1.4dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

Дел Акција: 160292

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Фреквенција - Транзиција: 550MHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 5dB @ 100MHz, Добијте: 23dB, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

Дел Акција: 91

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 6V, Фреквенција - Транзиција: 11.5GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.2dB @ 1GHz, Добијте: 12dB, Моќност - Макс: 700mW,

Листа на желби.
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Дел Акција: 18982

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 6V, Фреквенција - Транзиција: 8GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.25dB @ 1GHz, Добијте: 10.5dB, Моќност - Макс: 1W,

Листа на желби.
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

Дел Акција: 4314

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 5.3V, Фреквенција - Транзиција: 7.7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.45dB @ 1GHz, Добијте: 10.5dB, Моќност - Макс: 1.6W,

Листа на желби.
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

Дел Акција: 9921

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 5.3V, Фреквенција - Транзиција: 12.5GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.45dB @ 1GHz, Добијте: 11.8dB, Моќност - Макс: 800mW,

Листа на желби.
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

Дел Акција: 4313

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.45dB @ 1GHz, Добијте: 16.5dB, Моќност - Макс: 1.8W,

Листа на желби.
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

Дел Акција: 135

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Добијте: 12dB, Моќност - Макс: 900mW,

Листа на желби.
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

Дел Акција: 9992

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 5.3V, Фреквенција - Транзиција: 11.2GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.45dB @ 1GHz, Добијте: 12.5dB, Моќност - Макс: 900mW,

Листа на желби.
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

Дел Акција: 176440

Тип на транзистор: NPN, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 5V, Фреквенција - Транзиција: 4GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 2.4dB @ 1GHz, Добијте: 4.5dBi, Моќност - Макс: 100mW,

Листа на желби.
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

Дел Акција: 7065

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Фреквенција - Транзиција: 7GHz, Број на бучава (dB Тип @ f): 1.1dB @ 1GHz, Добијте: 11.5dB, Моќност - Макс: 200mW,

Листа на желби.