Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

TPCA8010-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12L,Q

Дел Акција: 6033

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

Листа на желби.

TPCA8009-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8009-H(TE12L,Q

Дел Акција: 9563

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 150V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 7A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 3.5A, 10V,

Листа на желби.

TPCA8016-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8016-H(TE12LQM

Дел Акција: 9528

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J355R,LF

Дел Акција: 128788

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1 mOhm @ 4A, 4.5V,

Листа на желби.

TPCA8007-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8007-H(TE12L,Q

Дел Акција: 9600

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

Дел Акција: 193227

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 12V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2 mOhm @ 4A, 8V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU,LF

Дел Акција: 126797

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 3.3V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J134TU,LF

Дел Акција: 16272

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH,LQ

Дел Акција: 195443

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 9.4A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.7A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8107,LF

Дел Акција: 69123

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J501NU,LF

Дел Акција: 176891

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3H137TU,LF

Дел Акција: 16238

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 34V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

TPCA8008-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

Дел Акција: 9581

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CFS,LF

Дел Акција: 138628

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

SSM3J129TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J129TU(TE85L)

Дел Акција: 6003

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

Листа на желби.

TPCC8005-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8005-H(TE12LQM

Дел Акција: 9435

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 26A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K17SU,LF

Дел Акција: 5947

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

Листа на желби.

TPCA8025(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8025(TE12L,Q,M

Дел Акција: 9392

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

TPCA8021-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8021-H(TE12LQM

Дел Акција: 9362

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 27A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

Дел Акција: 9242

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

SSM3J108TU(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J108TU(TE85L)

Дел Акција: 9444

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 800mA, 4V,

Листа на желби.

TPCC8002-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8002-H(TE12L,Q

Дел Акција: 8783

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 22A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R304PL,L1Q

Дел Акција: 119339

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 80A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3 mOhm @ 40A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56FS,LF

Дел Акција: 100620

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 800mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31A60W,S4VX

Дел Акција: 10937

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R303NL,L1Q

Дел Акција: 185384

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 40A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

Дел Акција: 60875

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15F,LF

Дел Акција: 25861

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K44FS,LF

Дел Акција: 25853

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31J60W5,S1VQ

Дел Акција: 9256

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6400ENH,L1Q

Дел Акција: 101081

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 200V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

Дел Акција: 98527

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 32A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K59CTB,L3F

Дел Акција: 173472

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 1A, 8V,

Листа на желби.

SSM3J46CTB(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J46CTB(TPL3)

Дел Акција: 115248

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CTC,L3F

Дел Акција: 21536

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20N60W,S1VF

Дел Акција: 14097

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

741

«
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
»