Transistors - FETs, MOSFETs - Single | Discrete Semiconductor Products | 21

2SK4016(Q)

Дел Акција: 6095

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3868(Q,M)

Дел Акција: 709

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3906(Q)

Дел Акција: 711

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3844(Q)

Дел Акција: 756

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 23A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3662(F)

Дел Акција: 712

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 35A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 18A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

Дел Акција: 761

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3466(TE24L,Q)

Дел Акција: 730

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3388(TE24L,Q)

Дел Акција: 727

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3403(Q)

Дел Акција: 759

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 450V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 13A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3313(Q)

Дел Акција: 769

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3342(TE16L1,NQ)

Дел Акција: 768

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2883(TE24L,Q)

Дел Акција: 752

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 800V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2866(F)

Дел Акција: 745

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2744(F)

Дел Акција: 6130

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2845(TE16L1,Q)

Дел Акција: 779

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2507(F)

Дел Акција: 761

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 50V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 25A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 12A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2544(F)

Дел Акција: 749

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK1119(F)

Дел Акција: 779

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 1000V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 Ohm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ681(Q)

Дел Акција: 746

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ380(F)

Дел Акција: 783

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ610(TE16L1,NQ)

Дел Акција: 711

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ360(F)

Дел Акција: 714

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 730 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ304(F)

Дел Акција: 800

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3128(Q)

Дел Акција: 702

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3309(Q)

Дел Акција: 633

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 450V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2376(Q)

Дел Акција: 685

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2266(TE24R,Q)

Дел Акција: 654

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3132(Q)

Дел Акција: 463

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 50A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 25A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK3068(TE24L,Q)

Дел Акција: 430

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 12A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520 mOhm @ 6A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2993(TE24L,Q)

Дел Акција: 483

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 250V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2917(F)

Дел Акција: 500

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 18A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2916(F)

Дел Акција: 458

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 500V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2847(F)

Дел Акција: 6126

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2719(F)

Дел Акција: 460

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 900V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2231(TE16R1,NQ)

Дел Акција: 140

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SK2963(TE12L,F)

Дел Акција: 23

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 500mA, 10V,

Листа на желби.