Diodes - Rectifiers - Arrays | Discrete Semiconductor Products | 2

BAV70,LM

Дел Акција: 3367

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 215mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

Дел Акција: 3300

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 150mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

Дел Акција: 3315

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 215mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

Дел Акција: 151

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

Дел Акција: 111

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

Дел Акција: 99

Конфигурација на диода: 2 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

Дел Акција: 125

Конфигурација на диода: 2 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

Дел Акција: 196401

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

Дел Акција: 12490

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

Дел Акција: 146

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

Дел Акција: 10959

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

Дел Акција: 109

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

Дел Акција: 106201

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 140mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

Дел Акција: 105421

Конфигурација на диода: 2 Pair CA + CC, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

Дел Акција: 159197

Конфигурација на диода: 2 Pair CA + CC, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

Дел Акција: 171499

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 215mA, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

Дел Акција: 8001

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 12A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 12A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

Дел Акција: 7444

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

Дел Акција: 191091

Конфигурација на диода: 2 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

Дел Акција: 124987

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

Дел Акција: 130979

Конфигурација на диода: 2 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

Дел Акција: 4548

Конфигурација на диода: 2 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

Дел Акција: 166431

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 80mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

Дел Акција: 170816

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

Дел Акција: 16260

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 570mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

Дел Акција: 191404

Конфигурација на диода: 2 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

Дел Акција: 127689

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 215mA, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

Дел Акција: 4160

Конфигурација на диода: 2 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

Дел Акција: 4087

Конфигурација на диода: 3 Independent, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

Дел Акција: 3899

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 20A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

Дел Акција: 120020

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

Дел Акција: 167920

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.