Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 152609

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SC4944-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 98

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SA1618-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 124

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SA1873-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 114931

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SA1873-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

Дел Акција: 137653

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

Дел Акција: 153875

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SC4207-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

Дел Акција: 9987

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
2SA1618-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

Дел Акција: 115889

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1B01FU-Y(L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Дел Акција: 4365

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1A01FE-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

Дел Акција: 167758

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1C03FU-A(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Дел Акција: 115887

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Листа на желби.
HN4A51JTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

Дел Акција: 179411

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1A01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

Дел Акција: 4432

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
ULN2004AFWG,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

Дел Акција: 124168

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Дел Акција: 104094

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN4B04J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

Дел Акција: 147055

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.
HN1A01FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

Дел Акција: 104803

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
TPCP8901(TE85L,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

Дел Акција: 104

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
HN1B04FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

Дел Акција: 184759

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1B01F-GR(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

Дел Акција: 4437

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN4A06J(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

Дел Акција: 4500

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN2C01FE-GR(T5L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Дел Акција: 4488

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1C01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

Дел Акција: 184335

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN3A51F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

Дел Акција: 4476

Тип на транзистор: 2 PNP (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
ULN2003APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

Дел Акција: 4401

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Дел Акција: 6508

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1B01FU-GR,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

Дел Акција: 151500

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
ULN2803AFWG,C,EL
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

Дел Акција: 4471

Тип на транзистор: 8 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

Дел Акција: 9945

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Листа на желби.
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

Дел Акција: 111105

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1B04F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

Дел Акција: 4492

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.
ULN2003AFWG,O,N,E
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

Дел Акција: 4430

Тип на транзистор: 7 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 50µA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.
HN4B01JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

Дел Акција: 76

Тип на транзистор: NPN, PNP (Emitter Coupled), Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Листа на желби.
ULN2803APG,CN
Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

Дел Акција: 4464

Тип на транзистор: 8 NPN Darlington, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Листа на желби.
HN3C51F-BL(TE85L,F
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

Дел Акција: 4503

Тип на транзистор: 2 NPN (Dual), Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.
HN1B04FU-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

Дел Акција: 9904

Тип на транзистор: NPN, PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.