Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
IRKD196/16
Vishay Semiconductor Diodes Division

IRKD196/16

Дел Акција: 3649

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 195A, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
HFA80NC40CSL
Vishay Semiconductor Diodes Division

HFA80NC40CSL

Дел Акција: 3585

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 85A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 80A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-MURB1020CTPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1020CTPBF

Дел Акција: 57732

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 990mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18BCTHE3/81

Дел Акција: 75267

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCT-E3/81

Дел Акција: 99560

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16CT-E3/45

Дел Акција: 136749

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-E3-08

Дел Акција: 134643

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
UGF10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10GCTHE3/45

Дел Акција: 100671

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10BCT-E3/45

Дел Акција: 153909

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16ATHE3/81

Дел Акција: 74585

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GI2404-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2404-E3/45

Дел Акција: 93739

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MB30H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB30H100CTHE3_A/I

Дел Акција: 64348

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 820mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-HE3-18

Дел Акција: 122851

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16GTHE3/45

Дел Акција: 83744

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16FT-E3/45

Дел Акција: 87530

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HTHE3/45

Дел Акција: 82963

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-6CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CVH02-M3/I

Дел Акција: 3377

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCTHE3/45

Дел Акција: 116283

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GI2403-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2403-E3/45

Дел Акција: 93786

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16BT-E3/45

Дел Акција: 90895

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCT-E3/45

Дел Акција: 126181

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16GT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GT-E3/81

Дел Акција: 70003

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-G3-08

Дел Акција: 188503

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MMBD7000-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-HE3-18

Дел Акција: 198019

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
VS-10CVH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CVH02HM3/I

Дел Акција: 3357

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.17V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP30AP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30AP-E3/45

Дел Акција: 58480

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG30CPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30CPT-E3/45

Дел Акција: 34508

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16BT-E3/81

Дел Акција: 75328

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18DCTHE3/45

Дел Акција: 96876

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18BCTHE3/45

Дел Акција: 90802

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CT-E3/45

Дел Акција: 90979

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16FTHE3/45

Дел Акција: 83730

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG18BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18BCT-E3/45

Дел Акција: 97883

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-G3-18

Дел Акција: 158974

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18ACTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18ACTHE3/45

Дел Акција: 96880

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18BCT-E3/81

Дел Акција: 78678

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.