Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/45

Дел Акција: 107532

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16ATHE3/45

Дел Акција: 90046

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18CCT-E3/45

Дел Акција: 97942

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10GCT-E3/45

Дел Акција: 143721

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-18

Дел Акција: 141499

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004S-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-E3-18

Дел Акција: 111184

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-HE3-18

Дел Акција: 198916

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16HT-E3/45

Дел Акција: 87593

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18ACTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACTHE3/45

Дел Акција: 90754

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCT-E3/45

Дел Акција: 126140

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18DCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/81

Дел Акција: 78616

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/45

Дел Акција: 84428

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16BTHE3/45

Дел Акција: 83672

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCT-E3/81

Дел Акција: 99554

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16HTHE3/45

Дел Акција: 83658

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/45

Дел Акција: 130498

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16BTHE3/45

Дел Акција: 89969

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GT-E3/45

Дел Акција: 84414

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10DCTHE3/45

Дел Акција: 116321

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP30BP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30BP-E3/45

Дел Акција: 58565

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18DCT-E3/45

Дел Акција: 100240

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16HT-E3/45

Дел Акција: 96088

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18DCT-E3/45

Дел Акција: 97938

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/81

Дел Акција: 68801

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG10CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10CCT-E3/45

Дел Акција: 153979

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCTHE3/45

Дел Акција: 3388

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG30BPT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30BPT-E3/45

Дел Акција: 34503

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10BCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCT-E3/81

Дел Акција: 99573

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18CCTHE3/45

Дел Акција: 96909

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16HT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HT-E3/81

Дел Акција: 69932

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16BT-E3/45

Дел Акција: 86860

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-8CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-8CVH02-M3/I

Дел Акција: 4413

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.14V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16AT-E3/45

Дел Акција: 90898

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2403HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403HE3/45

Дел Акција: 87474

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18ACT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACT-E3/81

Дел Акција: 78600

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16GTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GTHE3/45

Дел Акција: 82984

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.