Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
FEPB16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CTHE3/45

Дел Акција: 90010

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2404HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/45

Дел Акција: 87487

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16GTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16GTHE3/81

Дел Акција: 68781

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16GT-E3/45

Дел Акција: 87524

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GI2402-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2402-E3/45

Дел Акција: 93768

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16AT-E3/81

Дел Акција: 75310

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10BCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10BCTHE3/81

Дел Акција: 91848

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-10CVH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-10CVH02-M3/I

Дел Акција: 3424

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.17V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2404-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404-E3/81

Дел Акција: 75334

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10FCTHE3/45

Дел Акција: 100678

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10GCT-E3/45

Дел Акција: 104940

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCTHE3/81

Дел Акција: 91861

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16FT-E3/45

Дел Акција: 47314

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16BT-E3/45

Дел Акција: 136770

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16CT-E3/45

Дел Акција: 86805

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10BCTHE3/45

Дел Акција: 122391

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004A-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-08

Дел Акција: 113335

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCTHE3/45

Дел Акција: 116281

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/81

Дел Акција: 87382

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18CCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCT-E3/81

Дел Акција: 78615

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-30CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CDU06-M3/I

Дел Акција: 80813

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/45

Дел Акција: 89991

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16GT-E3/45

Дел Акција: 61086

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2403HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403HE3/81

Дел Акција: 72534

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004C-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004C-E3-08

Дел Акција: 103504

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18BCT-E3/45

Дел Акција: 100246

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-16CDU06-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06-M3/I

Дел Акција: 127752

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2401-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401-E3/81

Дел Акција: 75369

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-HE3-08

Дел Акција: 140718

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-G3-08

Дел Акција: 126070

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
FEPB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16HTHE3/81

Дел Акција: 68723

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 500V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16ATHE3/45

Дел Акција: 83728

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18BCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18BCTHE3/45

Дел Акција: 96893

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
SS8P6C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/86A

Дел Акција: 196004

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 4A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 4A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004A-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-18

Дел Акција: 170818

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG18ACT-E3/45

Дел Акција: 97928

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.