Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
GIB2402HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2402HE3/45

Дел Акција: 87491

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP30FP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30FP-E3/45

Дел Акција: 50031

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CTHE3/81

Дел Акција: 74629

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10GCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCT-E3/81

Дел Акција: 87379

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-20CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CDH02-M3/I

Дел Акција: 127790

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004S-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-E3-08

Дел Акција: 130395

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-20CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-20CDH02HM3/I

Дел Акција: 115889

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.05V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-12CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CDU06HM3/I

Дел Акција: 105995

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 6A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 6A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16FTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FTHE3/81

Дел Акција: 68792

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MMBD7000-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-G3-18

Дел Акција: 184553

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 100mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
FEP16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP16AT-E3/45

Дел Акција: 136780

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCT-E3/45

Дел Акција: 110603

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2403-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2403-E3/81

Дел Акција: 3461

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEP30CP-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEP30CP-E3/45

Дел Акција: 58505

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 15A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 15A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10DCT-E3/45

Дел Акција: 122202

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MB20H100CTHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

MB20H100CTHE3_A/I

Дел Акција: 68755

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 770mV @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10CCTHE3/81

Дел Акција: 91838

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2401HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401HE3/81

Дел Акција: 72492

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16CTHE3/45

Дел Акција: 83703

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004A-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-08

Дел Акција: 140975

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16AT-E3/45

Дел Акција: 86854

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10FCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCTHE3/81

Дел Акција: 84917

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACT-E3/45

Дел Акција: 94892

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10DCT-E3/45

Дел Акција: 126196

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-16CDH02HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDH02HM3/I

Дел Акција: 115903

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.03V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10BCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10BCT-E3/45

Дел Акција: 122161

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16FTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FTHE3/45

Дел Акција: 82997

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2402-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2402-E3/81

Дел Акција: 75347

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DT-E3/45

Дел Акција: 143567

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GI2401-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GI2401-E3/45

Дел Акција: 93729

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF10FCT-E3/45

Дел Акција: 104930

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18ACTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18ACTHE3/81

Дел Акција: 75287

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18CCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18CCT-E3/45

Дел Акција: 100173

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-G3-18

Дел Акција: 190929

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UHB20FCT-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/8W

Дел Акција: 74642

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 10A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16BTHE3/81

Дел Акција: 74543

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.