Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Arrays

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Arrays
FEPF16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JTHE3/45

Дел Акција: 83743

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-E3-18

Дел Акција: 179096

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
VS-16CDH02-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDH02-M3/I

Дел Акција: 151030

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.03V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2402HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2402HE3/81

Дел Акција: 72465

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCTHE3/45

Дел Акција: 107496

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004A-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-HE3-08

Дел Акција: 180957

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2404HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2404HE3/81

Дел Акција: 72465

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18CCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/81

Дел Акција: 75239

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DTHE3/45

Дел Акција: 83648

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18DCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCT-E3/45

Дел Акција: 94860

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16JT-E3/45

Дел Акција: 87528

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/81

Дел Акција: 75249

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10FCT-E3/45

Дел Акција: 110617

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG30APT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG30APT-E3/45

Дел Акција: 34458

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 30A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.15V @ 30A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GIB2401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GIB2401HE3/45

Дел Акција: 87451

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 16A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 975mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004S-G3-08

Дел Акција: 185162

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JT-E3/81

Дел Акција: 103025

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18CCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18CCTHE3/45

Дел Акција: 90753

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
VS-16CDU06HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CDU06HM3/I

Дел Акција: 106014

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.4V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGB18DCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB18DCTHE3/45

Дел Акција: 90829

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16DT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DT-E3/81

Дел Акција: 113329

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16DTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16DTHE3/81

Дел Акција: 74564

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

MMBD7000-HE3-08

Дел Акција: 144372

Конфигурација на диода: 1 Pair Series Connection, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 200mA (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGB10GCTHE3/81

Дел Акција: 84845

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004A-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-E3-18

Дел Акција: 192897

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
GSD2004A-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

GSD2004A-G3-18

Дел Акција: 141280

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Anode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 240V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 225mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1V @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16FT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16FT-E3/81

Дел Акција: 69929

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UG10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UG10FCT-E3/45

Дел Акција: 143640

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPF16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPF16DT-E3/45

Дел Акција: 86838

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16JTHE3/45

Дел Акција: 82943

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 600V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.5V @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
UGF18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

UGF18ACT-E3/45

Дел Акција: 100167

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 50V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 18A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 9A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
FEPB16CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division

FEPB16CT-E3/81

Дел Акција: 75327

Конфигурација на диода: 1 Pair Common Cathode, Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 150V, Струја - Просечна исправена (Io) (по диода): 8A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 950mV @ 8A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.