Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Дома
Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8120,LQ(CM

Дел Акција: 83086

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 45A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 22.5A, 10V,

Листа на желби.

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Toshiba Semiconductor and Storage

TJ60S04M3L(T6L1,NQ

Дел Акција: 86603

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 60A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 30A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK7P65W,RQ

Дел Акција: 118054

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 650V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800 mOhm @ 3.4A, 10V,

Листа на желби.

TK5P53D(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK5P53D(T6RSS-Q)

Дел Акција: 123262

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 525V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15AFU,LF

Дел Акција: 175836

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 10mA, 4V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN11006NL,LQ

Дел Акција: 101200

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 17A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R903NL,LQ

Дел Акција: 115691

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K336R,LF

Дел Акција: 142287

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K116TU,LF

Дел Акција: 124084

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 500mA, 4.5V,

Листа на желби.

TPCP8J01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8J01(TE85L,F,M

Дел Акција: 7462

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 32V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 3A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K403TU,LF

Дел Акција: 160075

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN6R303NC,LQ

Дел Акција: 135173

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 20A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3 mOhm @ 10A, 10V,

Листа на желби.

SSM3K16CT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT(TPL3)

Дел Акција: 100992

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Листа на желби.

TK2P60D(TE16L1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK2P60D(TE16L1,NQ)

Дел Акција: 165770

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 600V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 2A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 Ohm @ 1A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36FS,LF

Дел Акција: 126626

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J332R,LF

Дел Акција: 169586

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH14006NH,L1Q

Дел Акција: 166914

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 14A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 6.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 7A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K513NU,LF

Дел Акција: 134203

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 15A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J328R,LF

Дел Акција: 158450

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8 mOhm @ 3A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J507NU,LF

Дел Акција: 126250

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 10A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R004PL,LQ

Дел Акција: 7474

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 87A (Ta), 49A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 24.5A, 10V,

Листа на желби.

SSM3K7002KFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002KFU,LF

Дел Акција: 186902

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K376R,LF

Дел Акција: 7265

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 2A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J331R,LF

Дел Акција: 7291

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56ACT,L3F

Дел Акција: 123517

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.4A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K335R,LF

Дел Акција: 165419

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 4A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6R003NL,LQ

Дел Акција: 185914

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 38A (Tc), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 19A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J414TU,LF

Дел Акција: 168558

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5 mOhm @ 6A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K361R,LF

Дел Акција: 190687

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

SSM3K35AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35AMFV,L3F

Дел Акција: 131212

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 250mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K329R,LF

Дел Акција: 180365

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 30V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 126 mOhm @ 1A, 4V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K361NU,LF

Дел Акција: 7288

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 100V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69 mOhm @ 2A, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K217FE,LF

Дел Акција: 166457

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 40V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.8V, 8V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 1A, 8V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K36MFV,L3F

Дел Акција: 111367

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 1.5V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 200mA, 5V,

Листа на желби.

TPC6113(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6113(TE85L,F,M)

Дел Акција: 100371

Тип на FET: P-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 20V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 5A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K341R,LF

Дел Акција: 103520

Тип на FET: N-Channel, Технологија: MOSFET (Metal Oxide), Исцедете го до напон на изворот (Vdss): 60V, Струја - континуиран исцедок (идентичен) @ 25 ° C: 6A (Ta), Напон на погонот (максимум RDS вклучен, мин RDS вклучен): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5A, 10V,

Листа на желби.

741

«
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
»