Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
1SS387CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387CT,L3F

Дел Акција: 117530

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 1.6ns,

Листа на желби.
1SS190TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS190TE85LF

Дел Акција: 116

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS187,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS187,LF

Дел Акција: 131

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS416CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416CT,L3F

Дел Акција: 111

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307(TE85L,F)

Дел Акција: 161

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS193,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193,LF

Дел Акција: 176168

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS413CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413CT,L3F

Дел Акција: 156192

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS424(TPL3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS424(TPL3,F)

Дел Акција: 201

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 200mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS401(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS401(TE85L,F)

Дел Акција: 122602

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 300mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1SS193S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS193S,LF(D

Дел Акција: 2303

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS389,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,H3F

Дел Акција: 1533

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS394TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS394TE85LF

Дел Акција: 154898

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS397TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

Дел Акција: 152629

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 500ns,

Листа на желби.
1SS196(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS196(TE85L,F)

Дел Акција: 136052

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS403,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS403,H3F

Дел Акција: 175794

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Листа на желби.
1SS370TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS370TE85LF

Дел Акција: 1558

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Листа на желби.
1SS307E,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS307E,L3F

Дел Акција: 146552

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS413,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS413,L3M

Дел Акција: 180671

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS416,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS416,L3M

Дел Акција: 113319

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS417,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417,L3M

Дел Акција: 108515

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS417CT,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS417CT,L3F

Дел Акција: 21577

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS405,H3F

Дел Акција: 106441

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 50mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 50mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS389,L3F

Дел Акција: 119305

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1SS367,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS367,H3F

Дел Акција: 129010

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
1SS427,L3M
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS427,L3M

Дел Акција: 138564

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 1.6ns,

Листа на желби.
1SS404,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS404,H3F

Дел Акција: 174948

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 300mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 300mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS387,L3F

Дел Акција: 106991

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS352,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS352,H3F

Дел Акција: 126326

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 4ns,

Листа на желби.
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS250(TE85L,F)

Дел Акција: 172900

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.2V @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 60ns,

Листа на желби.
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

1SS294,LF

Дел Акција: 154455

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
BAS516,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,H3F

Дел Акција: 8357

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3ns,

Листа на желби.
BAS316,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS316,H3F

Дел Акција: 8339

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3ns,

Листа на желби.
BAS516,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

BAS516,L3F

Дел Акција: 8339

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 100V, Тековна - Просечна исправена (Io): 250mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.25V @ 150mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 3ns,

Листа на желби.
TRS10E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS10E65C,S1Q

Дел Акција: 6216

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 10A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.
CBS10S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S30,L3F

Дел Акција: 176414

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CBS10S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10S40,L3F

Дел Акција: 162705

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.