Diodes - Rectifiers - Single

Дома
Diodes - Rectifiers - Single

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

Дел Акција: 141424

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 340mV @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

Дел Акција: 175222

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 230mV @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

Дел Акција: 21594

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 10V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10mA (DC), Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

Дел Акција: 122854

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 200mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

Дел Акција: 159042

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

Дел Акција: 172576

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 400mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CMF05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 158502

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 1000V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 2.7V @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

Дел Акција: 114342

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 340mV @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

Дел Акција: 155708

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 600mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.

CMS11(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 159752

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

Дел Акција: 139868

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 350mV @ 100mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

Дел Акција: 11358

Тип на диода: Silicon Carbide Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 650V, Тековна - Просечна исправена (Io): 6A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.7V @ 6A, Брзина: No Recovery Time > 500mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 0ns,

Листа на желби.

CMS03(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 144392

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CMS06(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 184133

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CRS09(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 139204

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 460mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CRH01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 121678

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.

CRS08(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 183971

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CRS01(TE85L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 104302

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CMS04(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 164330

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

CMS05(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 112076

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

Дел Акција: 193256

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 800mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 220mV @ 10mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

Дел Акција: 8420

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 700mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

Дел Акција: 4875

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 670mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

Дел Акција: 181235

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 200mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 280mV @ 10mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

Дел Акција: 4923

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

Дел Акција: 151245

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

Дел Акција: 8357

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 810mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.

207

«
1
2
3
4
5
6
»