Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
CBS05F30(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS05F30(TPL3)

Дел Акција: 1645

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
DSR01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSR01S30SC(TPL3)

Дел Акција: 131336

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 620mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
CLS01(TE16L,PAS,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16L,PAS,Q)

Дел Акција: 1424

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.47V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
DSF01S30SC(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF01S30SC(TPL3)

Дел Акција: 1267

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 100mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Листа на желби.
CLS01(T6LSONY,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(T6LSONY,Q)

Дел Акција: 1440

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.47V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH05(T6L,NKOD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(T6L,NKOD,Q)

Дел Акција: 1359

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.98V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLH03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16R,Q)

Дел Акција: 1368

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CMS03(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L)

Дел Акција: 1091

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
DSF07S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF07S30U(TPH3,F)

Дел Акција: 1170

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 700mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 700mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
DSF05S30U(TPH3,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

DSF05S30U(TPH3,F)

Дел Акција: 1121

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
U1GWJ49(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

U1GWJ49(TE12L,F)

Дел Акција: 852

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 101221

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 510mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS02(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 779

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS06(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 186793

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUHS10F60,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUHS10F60,H3F

Дел Акција: 9971

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS15S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S40,H3F

Дел Акција: 186045

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS11(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 161979

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TBAS16,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAS16,LM

Дел Акција: 122216

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 80V, Тековна - Просечна исправена (Io): 215mA, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS551V30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS551V30,H3F

Дел Акција: 168808

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 500mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 470mV @ 500mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS01(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 784

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 390mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS15S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15S30,H3F

Дел Акција: 171031

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 400mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
TBAT54,LM
Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54,LM

Дел Акција: 142010

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 140mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 100mA, Брзина: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, Време на обратно закрепнување (trr): 1.5ns,

Листа на желби.
CMS09(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS09(TE12L)

Дел Акција: 262

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 450mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS04(TE85L)

Дел Акција: 173

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 510mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMS02(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS02(TE12L)

Дел Акција: 183

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 400mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMS04(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L)

Дел Акција: 211

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMS11(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L)

Дел Акција: 213

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L)

Дел Акција: 196

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 460mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L)

Дел Акција: 264

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1.5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L)

Дел Акција: 5028

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 980mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L)

Дел Акција: 200

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS11(TE85L)

Дел Акција: 264

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 360mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMS01(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L)

Дел Акција: 178

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMS01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS01(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 129014

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 370mV @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CCS15S30,L3QUF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3QUF

Дел Акција: 124325

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 400mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS10F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F30,H3F

Дел Акција: 143420

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 500mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.