Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Diodes - Rectifiers - Single

  • Дома
  •  
  • Diodes - Rectifiers - Single
CRG09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG09(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 193

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 700mA, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CUS04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS04(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 250

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 700mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 580mV @ 700mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMH08(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 223

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
CUS10I40A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I40A(TE85L,QM

Дел Акција: 162

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 700mA, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CRG07(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG07(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 183

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 700mA, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.1V @ 700mA, Брзина: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMH05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 178

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 100ns,

Листа на желби.
CRS14(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS14(TE85L,Q,M)

Дел Акција: 166

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 2A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 490mV @ 2A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMS10(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 130001

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 550mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH02(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16L,Q)

Дел Акција: 2615

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLS02(TE16L,HIT,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,HIT,Q)

Дел Акција: 2547

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.55V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS02(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CANO-O,Q

Дел Акција: 2587

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.55V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS03(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16R,Q)

Дел Акција: 2557

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH02(TE16R,Q)

Дел Акција: 2558

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.3V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLH05,LMBJQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05,LMBJQ(O

Дел Акција: 2588

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.98V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLH07(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16R,Q)

Дел Акција: 2552

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLS01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01(TE16R,Q)

Дел Акција: 2596

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.47V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS03(T6L,SHINA,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,SHINA,Q)

Дел Акција: 2554

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH01(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16L,Q)

Дел Акција: 2598

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.98V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLH05(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH05(TE16R,Q)

Дел Акција: 2581

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.98V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLS03(TE16L,PCD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PCD,Q)

Дел Акција: 2562

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS02(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16R,Q)

Дел Акција: 2544

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.55V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS02(T6L,CLAR,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(T6L,CLAR,Q)

Дел Акција: 2597

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.55V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS02(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS02(TE16L,SQC,Q)

Дел Акција: 2590

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 40V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.55V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH06(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16L,Q)

Дел Акција: 2608

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLH01(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH01(TE16R,Q)

Дел Акција: 2533

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 200V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.98V @ 3A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLS01,LFJFQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS01,LFJFQ(O

Дел Акција: 2549

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 30V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.47V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS03,LNITTOQ(O
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03,LNITTOQ(O

Дел Акција: 2564

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS03(T6L,CANO-O,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(T6L,CANO-O,Q

Дел Акција: 2613

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH03(TE16L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH03(TE16L,Q)

Дел Акција: 2603

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 3A (DC), Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLS03(TE16L,SQC,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,SQC,Q)

Дел Акција: 2602

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLS03(TE16L,PSD,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,PSD,Q)

Дел Акција: 5263

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH07(TE16L,NMB,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH07(TE16L,NMB,Q)

Дел Акција: 2547

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 5A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CLS03(TE16L,DNSO,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

CLS03(TE16L,DNSO,Q

Дел Акција: 2552

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 60V, Тековна - Просечна исправена (Io): 10A (DC), Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 0.58V @ 10A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CLH06(TE16R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

CLH06(TE16R,Q)

Дел Акција: 5332

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 300V, Тековна - Просечна исправена (Io): 5A (DC), Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.
CCS15S30,L3IDTF
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S30,L3IDTF

Дел Акција: 2062

Тип на диода: Schottky, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 20V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1.5A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 400mV @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Листа на желби.
CMH05A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH05A(TE12L,Q,M)

Дел Акција: 102694

Тип на диода: Standard, Напон - DC рикверц (Vr) (максимум): 400V, Тековна - Просечна исправена (Io): 1A, Напон - Напред (Vf) (Макс) @ Ако: 1.8V @ 1A, Брзина: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Време на обратно закрепнување (trr): 35ns,

Листа на желби.