Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 11

2SB1457(T6DW,F,M)

Дел Акција: 5232

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEMBJF(J

Дел Акција: 6608

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR,A,F

Дел Акција: 5272

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-Y(TPL3)

Дел Акција: 5238

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5439(F)

Дел Акција: 5233

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 8A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 450V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 640mA, 3.2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 14 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CT-Y(TPL3)

Дел Акција: 5083

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-GR,LF

Дел Акција: 184025

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-GR,LF

Дел Акција: 129870

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-Y,LF

Дел Акција: 105477

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-BL,LF

Дел Акција: 145497

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-GR,LF

Дел Акција: 132736

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1163-GR,LF

Дел Акција: 156237

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-Y,LF

Дел Акција: 105262

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-B,LF

Дел Акција: 114013

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4117-BL,LF

Дел Акција: 141692

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-GR,LF

Дел Акција: 150771

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3326-A,LF

Дел Акција: 149461

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721OTE85LF

Дел Акција: 100270

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213-A(TE85L,F)

Дел Акција: 118674

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324-BL(TE85L,F

Дел Акција: 171156

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312GRTE85LF

Дел Акција: 4810

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3904,LM

Дел Акција: 104340

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA0002(Q)

Дел Акција: 27295

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 18A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 160V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC0002(Q)

Дел Акција: 27908

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 18A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 160V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC012(Q)

Дел Акција: 96245

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 375V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 300mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6503(TE85L,F,M)

Дел Акција: 124

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 120mV @ 10mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 400 @ 150mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TMBT3906,LM

Дел Акција: 192103

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC008(Q)

Дел Акција: 118518

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 285V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 62.5mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC857B,LM

Дел Акција: 174487

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 30nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA003,L1NQ(O

Дел Акција: 186338

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC5200(Q)

Дел Акција: 25341

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA1943(Q)

Дел Акција: 25369

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTA004B,Q

Дел Акција: 146507

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1.5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 160V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(M

Дел Акција: 7058

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TTC009,F(J

Дел Акција: 7067

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

TBC847B,LM

Дел Акција: 142061

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 30nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Листа на желби.