Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 11

2SC2229-Y,F(J

Дел Акција: 6978

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(TE6,F,M)

Дел Акција: 6957

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6SAN2FM

Дел Акција: 7016

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6ONK1FM

Дел Акција: 6992

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

Дел Акција: 6990

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

Дел Акција: 7022

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

Дел Акција: 7021

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

Дел Акција: 6703

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

Дел Акција: 6975

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

Дел Акција: 7020

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

Дел Акција: 7022

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

Дел Акција: 6954

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

Дел Акција: 6948

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

Дел Акција: 6990

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

Дел Акција: 6947

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

Дел Акција: 7035

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

Дел Акција: 7005

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

Дел Акција: 6999

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

Дел Акција: 7004

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

Дел Акција: 6754

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

Дел Акција: 6942

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

Дел Акција: 6995

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

Дел Акција: 7000

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

Дел Акција: 6996

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 4A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 2µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

Дел Акција: 6949

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

Дел Акција: 6958

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

Дел Акција: 6947

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

Дел Акција: 6980

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

Дел Акција: 7012

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 100V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

Дел Акција: 6968

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

Дел Акција: 7012

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

Дел Акција: 6956

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

Дел Акција: 6980

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

Дел Акција: 6968

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

Дел Акција: 7009

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

Дел Акција: 6956

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.