Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2SA1837,S1CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,S1CSF(J

Дел Акција: 7010

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1837,HFEYHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(M

Дел Акција: 6997

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1837,HFEYHF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,HFEYHF(J

Дел Акција: 6944

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1837,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,F(J

Дел Акција: 6994

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1837(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(PAIO,F,M)

Дел Акција: 6991

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1837(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(LBSAN,F,M)

Дел Акција: 6710

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1761,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(M

Дел Акција: 6956

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1761,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,T6F(J

Дел Акција: 6934

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1761,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1761,F(J

Дел Акција: 6947

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1680,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6F(J

Дел Акција: 7016

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1680,T6SCMDF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6SCMDF(J

Дел Акција: 6980

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1680,T6ASTIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,T6ASTIF(J

Дел Акција: 7010

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1680,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680,F(J

Дел Акција: 6927

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1680(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(F,M)

Дел Акција: 6950

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1680(T6DNSO,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1680(T6DNSO,F,M

Дел Акција: 6992

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1429-Y(T2TR,F,M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2TR,F,M

Дел Акција: 6995

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1429-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1429-Y(T2OMI,FM

Дел Акција: 6951

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1428-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(M

Дел Акција: 6771

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1428-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y,T2F(J

Дел Акција: 6920

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1428-O,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2WNLF(J

Дел Акција: 6933

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1428-Y(T2TR,A,F
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-Y(T2TR,A,F

Дел Акција: 7010

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1428-O,T2CLAF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(M

Дел Акција: 6706

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1428-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1428-O,T2CLAF(J

Дел Акција: 7011

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1425-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1425-Y,T2F(J

Дел Акција: 6927

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SA1382,T6MIBF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1382,T6MIBF(J

Дел Акција: 6952

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 33mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1315-Y,T6ASNF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,T6ASNF(J

Дел Акција: 6974

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1315-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1315-Y,HOF(M

Дел Акција: 6974

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6F(J

Дел Акција: 6924

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6KEHF(M

Дел Акција: 6919

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,HOF(M

Дел Акција: 6991

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(J

Дел Акција: 7009

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y(T6TR1,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TR1,AF

Дел Акција: 6921

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

Дел Акција: 6978

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y(T6ND3,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6ND3,AF

Дел Акција: 6994

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6OMI,FM

Дел Акција: 6918

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SA1020-Y(T6FJT,AF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6FJT,AF

Дел Акција: 6960

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.