Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 11

2SA949-Y,ONK-1F(M

Дел Акција: 6969

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

Дел Акција: 7016

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(J

Дел Акција: 6976

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,F(J

Дел Акција: 6938

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(TE6,F,M)

Дел Акција: 6937

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6SHRP,FM

Дел Акција: 6975

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6ONK1,FM

Дел Акција: 6952

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(T6JVC1,FM

Дел Акција: 7006

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-O(TE6,F,M)

Дел Акција: 6949

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y(JVC1,F,M)

Дел Акција: 6969

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,T6WNLF(J

Дел Акција: 5673

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1972,F(J

Дел Акција: 6973

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 140 @ 20mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,SINFQ(J

Дел Акција: 7026

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,Q(J

Дел Акција: 6986

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NIKKIQ(J

Дел Акција: 6951

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NSEIKIQ(J

Дел Акција: 6948

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(M

Дел Акција: 6957

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,NETQ(J

Дел Акција: 6946

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,BOSCHQ(J

Дел Акција: 6957

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931,KEHINQ(M

Дел Акција: 6765

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1931(NOMARK,A,Q

Дел Акција: 6941

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,Q(J

Дел Акција: 7022

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,ONKQ(J

Дел Акција: 6775

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,CKQ(J

Дел Акција: 6939

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930,LBS2DIAQ(J

Дел Акција: 7019

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(ONK,Q,M)

Дел Акција: 6989

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1930(LBS2MATQ,M

Дел Акција: 6940

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,Q(J

Дел Акција: 7005

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y,MTSAQ(J

Дел Акција: 6727

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(Q,M)

Дел Акција: 7004

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1869-Y(JKT,Q,M)

Дел Акција: 6990

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(M

Дел Акција: 6947

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,YHF(J

Дел Акција: 6752

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,WNLF(J

Дел Акција: 6966

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,TOA1F(J

Дел Акција: 6942

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837,NSEIKIF(J

Дел Акција: 6984

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.