Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 11

2SA1943N(S1,E,S)

Дел Акција: 30936

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-Y,LF

Дел Акција: 133517

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA2154CT-GR,L3F

Дел Акција: 125949

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-OTE85LF

Дел Акција: 103394

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3324GRTE85LF

Дел Акција: 72

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026CTGRTPL3

Дел Акција: 154

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-GR(TE85L,F

Дел Акција: 155

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1182-Y,LF

Дел Акција: 105735

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-GR,LF

Дел Акција: 114972

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2713-BL,LF

Дел Акција: 141073

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-Y,LF

Дел Акција: 182069

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1298-Y,LF

Дел Акција: 110660

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2712-BL,LF

Дел Акција: 194721

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-O,LF

Дел Акција: 146528

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1312-BL(TE85L,F

Дел Акција: 123

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-Y,LF

Дел Акција: 160315

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB906-Y(TE16L1,NQ

Дел Акција: 107

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-Y,LF

Дел Акција: 100369

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4213BTE85LF

Дел Акција: 179590

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 300mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-BL,LF

Дел Акција: 124685

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-GR,LF

Дел Акција: 122917

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-Y,LF

Дел Акција: 134403

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6026MFVGR,L3F

Дел Акција: 189199

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1832-GR,LF

Дел Акција: 172547

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC6076(TE16L1,NV)

Дел Акција: 135662

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1587-BL,LF

Дел Акција: 106998

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5242-O(Q)

Дел Акција: 515

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1962-O(Q)

Дел Акција: 22703

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1943-O(Q)

Дел Акција: 22767

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200N(S1,E,S)

Дел Акција: 30915

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1721RTE85LF

Дел Акција: 7061

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6NSF(J

Дел Акција: 7009

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,T6WNLF(J

Дел Акција: 7019

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y,F(M

Дел Акција: 7049

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(M

Дел Акција: 7066

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD2695,T6F(J

Дел Акција: 6988

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 60V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Листа на желби.