Menu
МакедонскиМакедонски
Rfqs / цел
0Rfqs / цел

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

  • Дома
  •  
  • Transistors - Bipolar (BJT) - Single
2SC4881,LS1SUMIF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881,LS1SUMIF(M

Дел Акција: 6962

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.
2SC4793,YHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(M

Дел Акција: 7032

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4881(CANO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4881(CANO,F,M)

Дел Акција: 7001

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 125mA, 2.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V,

Листа на желби.
2SC4793,NSEIKIF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,NSEIKIF(J

Дел Акција: 7000

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4793,TOA1F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,TOA1F(J

Дел Акција: 7001

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4793,HFEF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(M

Дел Акција: 6995

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4793,HFEF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,HFEF(J

Дел Акција: 6784

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4793(PAIO,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(PAIO,F,M)

Дел Акција: 7017

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4793,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,F(J

Дел Акција: 7034

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4793(LBSAN,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(LBSAN,F,M)

Дел Акција: 7041

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC4682,T6F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4682,T6F(J

Дел Акција: 6959

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V,

Листа на желби.
2SC4682,T6CSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4682,T6CSF(J

Дел Акција: 7011

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 15V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 1V,

Листа на желби.
2SC4604,T6F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(M

Дел Акција: 7050

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SC4604,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,F(J

Дел Акција: 6996

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3669-Y,T2PASF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3669-Y,T2PASF(M

Дел Акција: 6974

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3669-Y(T2OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3669-Y(T2OMI,FM

Дел Акција: 7043

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3668-Y,T2WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3668-Y,T2WNLF(J

Дел Акција: 7046

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3668-Y,T2F(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3668-Y,T2F(M

Дел Акција: 7041

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3668-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3668-Y,T2F(J

Дел Акција: 7055

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3668-Y,F2PANF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3668-Y,F2PANF(J

Дел Акција: 7037

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3668-O,T2CLAF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3668-O,T2CLAF(J

Дел Акција: 6970

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3665-Y,T2YNSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3665-Y,T2YNSF(J

Дел Акција: 6966

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC3665-Y,T2F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3665-Y,T2F(J

Дел Акција: 6997

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC3665-Y,T2NSF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3665-Y,T2NSF(J

Дел Акција: 6966

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC3665-Y(T2NSW,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3665-Y(T2NSW,FM

Дел Акција: 7050

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.
2SC3328-Y,T6CKF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,T6CKF(J

Дел Акција: 7035

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3328-O,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-O,T6KEHF(M

Дел Акција: 6962

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC3225,T6ALPSF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3225,T6ALPSF(M

Дел Акција: 6998

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 40V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 300mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 10µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 400mA, 1V,

Листа на желби.
2SC2655-Y,T6SWFF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6SWFF(M

Дел Акција: 7008

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y,T6WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6WNLF(J

Дел Акција: 7029

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y,T6KEHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6KEHF(M

Дел Акција: 7039

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y,F(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,F(J

Дел Акција: 7003

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y,T6APNF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6APNF(M

Дел Акција: 6968

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y(TE6,F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(TE6,F,M)

Дел Акција: 6969

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y(T6TOJ,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6TOJ,FM

Дел Акција: 7035

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.
2SC2655-Y(T6OMI,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y(T6OMI,FM

Дел Акција: 6762

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.