Transistors - Bipolar (BJT) - Single | Discrete Semiconductor Products | 11

2SA1930(Q,M)

Дел Акција: 150987

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 180V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1887(F)

Дел Акција: 6584

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 10A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 250mA, 5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1244-Y(Q)

Дел Акција: 6565

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1242-Y(Q)

Дел Акција: 6708

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 5A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 20V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,T6F(J

Дел Акција: 6350

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

Дел Акција: 6392

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 80V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

Дел Акција: 6324

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

Дел Акција: 6336

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 160V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

Дел Акција: 6349

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

Дел Акција: 6343

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 2A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1586-GR,LF

Дел Акција: 140733

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3265-Y,LF

Дел Акција: 142540

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 25V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162-O,LF

Дел Акција: 116579

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3325-O(TE85L,F)

Дел Акција: 147650

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1588-Y,LF

Дел Акција: 193749

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 30V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-Y, LF(D

Дел Акција: 5659

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

Дел Акција: 163735

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

Дел Акција: 22720

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 15A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 5µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

Дел Акција: 96385

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1313-O(TE85L,F)

Дел Акција: 166553

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-GR,LF

Дел Акција: 198197

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-Y,LF

Дел Акција: 109658

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4116-O(TE85L,F)

Дел Акција: 189229

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5232BTE85LF

Дел Акција: 5292

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 500mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4738-BL(TE85L,F

Дел Акција: 6617

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 150mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVBTPL3Z

Дел Акција: 123818

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1955FVATPL3Z

Дел Акција: 148939

Тип на транзистор: PNP, Струја - колектор (Ic) (максимум): 400mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 12V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5549,T6F(J

Дел Акција: 5308

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 25mA, 200mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 40mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5459(TOJS,Q,M)

Дел Акција: 5238

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 400V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.2A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 20 @ 300mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3672-O(T2ASH,FM

Дел Акција: 5234

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 100mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 300V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,YHF(J

Дел Акција: 5270

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793,WNLF(J

Дел Акција: 5274

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 1A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 230V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 1µA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4604,T6F(J

Дел Акција: 5285

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 3A, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 50V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 75mA, 1.5A, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6KMATFM

Дел Акција: 5224

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 800mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 120V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MITIFM

Дел Акција: 5266

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(T6MIT1FM

Дел Акција: 5302

Тип на транзистор: NPN, Струја - колектор (Ic) (максимум): 50mA, Напон - Дефект на емитер на колекторот (максимум): 150V, Vce Saturation (Макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Струја - Пресек на колектори (макс.): 100nA (ICBO), Добивка на струја од еднонасочна струја (hFE) (мин.) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Листа на желби.